本文转载自：FPGA大叔的博客
一、DDR3简介
DDR3全称double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代双倍速率同步动态随机存储器。所谓同步，是指DDR3数据的读取写入是按时钟同步的；所谓动态，是指DDR3中的数据掉电无法保存，且需要周期性的刷新，才能保持数据；所谓随机存取，即可以随机操作任一地址的数据；所谓double-data-rate，即时钟的上升沿和下降沿都发生数据传输。
图1. DDR3结构
二、地址的概念及容量计算
2.1地址的概念
DDR3的内部是一个存储阵列，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）就是逻辑 Bank（Logical Bank，下面简称Bank）。
DDR3内部Bank示意图，这是一个MXN的阵列，B代表Bank地址编号，C代表列地址编号，R代表行地址编号。如果寻址命令是B1、R3、C4，就能确定地址是图中红格的位置目前DDR3内存芯片基本上都是8个Bank设计，也就是说一共有8个这样的“表格”。寻址的流程也就是先指定Bank地址，再指定行地址，然后指列地址最终的确寻址单元。
图2. DDR3地址
目前DDR3系统而言，还存在物理Bank的概念，这是对内存子系统的一个相关术语，并不针对内存芯片。内存为了保证CPU正常工作，必须一次传输完CPU 在一个传输周期内所需要的数据。而CPU在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit(位)。控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，这个位宽就称为物理Bank（Physical Bank，有的资料称之为Rank）的位宽。目前这个位宽基本为64bit。
2.2 DDR3容量计算
上一节我们已经说过bank、row、column的概念，容量就要据此来计算：
假设：
bank地址线位宽为3，及bank数目为 2^3=8；
行地址线位宽位13，及A0…A12；
列地址线位宽为10，及A0…A9；
有 2^3 * 2^13 * 2^10 = 2^26 =67108864b= 64Mb
再加上数据线，则容量为 64Mb x 16 = 128M Byte = =1G bit
三、重要给概念理解
3.1 行选通周期
在实际工作中，Bank地址与相应的行地址是同时发出的，此时这个命令称之为“行激活”（Row Active）。在此之后，将发送列地址寻址命令与具体的操作命令（是读还是写），这两个命令也是同时发出的，所以一般都会以“读/写命令”来表示列寻址。根据相关的标准，从行有效到读/写命令发出之间的间隔被定义为tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟，RAS就是行地址选通脉冲，CAS就是列地址选通脉冲），我们可以理解为行选通周期。tRCD是DDR的一个重要时序参数，广义的tRCD以时钟周期（tCK，Clock Time）数为单位，比如tRCD=3，就代表延迟周期为两个时钟周期，具体到确切的时间，则要根据时钟频率而定，时钟频率100M,tRCD=3，代表30ns的延迟。
图3. 行选通周期tRCD
3.2 列地址脉冲选通潜伏期
相关的列地址被选中之后，将会触发数据传输，但从存储单元中输出到真正出现在内存芯片的 I/O 接口之间还需要一定的时间（数据触发本身就有延迟，而且还需要进行信号放大），这段时间就是非常著名的 CL（CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期）。CL 的数值与 tRCD 一样，以时钟周期数表示。如 DDR3-800，时钟频率为 100MHz，时钟周期为 10ns，如果 CL=2 就意味着 20ns 的潜伏期。
注：CL只是针对读取操作。
图4. CL的概念(CL=2，tAC=1)
注意：delay与Latency虽然都有“延迟”的意思，但本质上是不同的
Delay ：事情要在这个时间之后开始
Latency：事情已经发生，但是还不够稳定需要一个稳定时间
3.3 突发传输的概念
目前内存的读写基本都是连续的，因为与CPU交换的数据量以一个Cache Line（即CPU内Cache的存储单位）的容量为准，一般为64字节。而现有的Rank位宽为8字节（64bit），那么就要一次连续传输8次，这就涉及到我们也经常能遇到的突发传输的概念。突发（Burst）是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式，连续传输的周期数就是突发长度（Burst Lengths，简称BL）。
在进行突发传输时，只要指定起始列地址与突发长度，内存就会依次地自动对后面相应数量的存储单元进行读/写操作而不再需要控制器连续地提供列地址。这样，除了第一笔数据的传输需要若干个周期（主要是之前的延迟，一般的是tRCD+CL）外，其后每个数据只需一个周期的即可获得。
连续读取模式：只要指定起始列地址与突发长度，后续的寻址与数据的读取自动进行，而只要控制好两段突发读取命令的间隔周期（与BL相同）即可做到连续的突发传输。
在 DDR SDRAM 中，突发长度只有 2、4、8 三种选择，没有了随机存取的操作（突发长度为 1）和全页式突发。这是为什么呢？因为 L-Bank一次就存取两倍于芯片 位宽的数据，所以芯片至少也要进行两次传输才可以，否则内部多出来的数据怎么处理？但是，突发长度的定义也与 SDRAM 的不一样了，它不再指所连续寻址的存储单元数量，而是指连续的传输周期数，每次是一个芯片位宽的数据。
上面是别人的解释，笔者结合自己的理解和代码实现中再解释一下：
突发传输是为了提高传输效率，这涉及到预取的概念；DDR3突发长度BL=8，在t1时刻我们发起读命令，给出地址addr1，那么因为是突发传输，所以实际我们将读出addr1以及它之后地址，总共8个地址，也就读出了8个数据；那么t2时刻，我们继续读数，给出的地址addr=addr1+8；结合下图更容易理解：
图5. 突发传输
注：
t1 ,t2 / t3，t4时刻不一定连续；要看ddr是否准备好，具体到代码就是app_rdy 并不是一直为高；
3.4 掩码
掩码简单解释下，就是屏蔽掉我们传输不需要的数据；掩码每一位bit对应ddr数据的1个字节；当掩码为0，数据有效；当掩码为1，数据屏蔽；
一般不使用，传输数据全部有效，掩码直接置0：(掩码位宽根据数据位宽而定)
assign app_wdf_mask = 64'b0；
3.5 数据选取脉冲（DQS）
DQS 是DDR中的重要功能，它的功能主要用来在一个时钟周期内准确的区分出每个传输周期，并便于接收方准确接收数据。每一颗芯片都有一个DQS信号线，它是双向的，在写入时它用来传送由北桥发来的DQS信号，读取时，则由芯片生成DQS向北桥发送。完全可以说，它就是数据的同步信号。
在读取时，DQS与数据信号同时生成（也是在CK与CK#的交叉点）。而DDR内存中的CL也就是从CAS发出到DQS生成的间隔，DQS生成时，芯片内部的预取已经完毕了，由于预取的原因，实际的数据传出可能会提前于DQS发生（数据提前于DQS传出）。由于是并行传输，DDR内存对tAC也有一定的要求，对于DDR266，tAC的允许范围是±0.75ns，对于DDR333，则是±0.7ns，有关它们的时序图示见前文，其中CL里包含了一段DQS 的导入期。
DQS 在读取时与数据同步传输，那么接收时也是以DQS的上下沿为准吗？不，如果以DQS的上下沿区分数据周期的危险很大。由于芯片有预取的操作，所以输出时的同步很难控制，只能限制在一定的时间范围内，数据在各I/O端口的出现时间可能有快有慢，会与DQS有一定的间隔，这也就是为什么要有一个tAC规定的原因。而在接收方，一切必须保证同步接收，不能有tAC之类的偏差。这样在写入时，芯片不再自己生成DQS，而以发送方传来的DQS为基准，并相应延后一定的时间，在DQS的中部为数据周期的选取分割点（在读取时分割点就是上下沿），从这里分隔开两个传输周期。这样做的好处是，由于各数据信号都会有一个逻辑电平保持周期，即使发送时不同步，在DQS上下沿时都处于保持周期中，此时数据接收触发的准确性无疑是最高的。
在写入时，以DQS的高/低电平期中部为数据周期分割点，而不是上/下沿，但数据的接收触发仍为DQS的上/下沿。
四、参考资料
如果我们只是拿来用ddr搬砖，那么它就简单，知道IP怎么使用就好，但是要想知其所以然，理论知识是必备的，这也是我们初学者所欠缺的东西，慢慢修炼吧！
参考资料①，里面所有信号都有解释，感兴趣的和想提升的可以仔细研究：
参考资料②，超详细DDR3底层原理介绍，大佬首选
