存储器

赛灵思存储器接口解决方案基于硬件验证的参考设计和软件工具,让工程师能够迅速生成您自己的定制设计

作者:清风流云

随着各大处理器处理速度的提高,特别是前几年Intel和IBM在CPU运行速度的竞争环境下,整个CPU运行速度的发展基本符合摩尔定律,但是近十年来,CPU的速度提升就变得十分缓慢了,个人认为最主要的原因有两点,其一就是工艺,其二就是访存,数据放在存取区域中,很难快速的load到core中。同样在各大设计应用中,存储器的IO速度问题越来越突出,那么到今天为止,在memory access上的的IO速度是否出现了一些突破呢?

Everspin’s nvNITRO NVMe card:

赛灵思公司(Xilinx, Inc.,(NASDAQ:XLNX))在2017 年闪存峰会上展示了可重配置存储加速解决方案。通过一系列的演示和介绍,赛灵思及其生态系统重点展示了用于当前和下一代企业和数据中心应用的高性能存储解决方案。在今年的闪存峰会上首次公开亮相的赛灵思NVMe-over-Fabrics参考设计为设计人员提供了灵活的平台,不仅可以帮助设计者实现可扩展的存储解决方案,而且还能帮助他们将定制加速功能集成到其存储阵列中。该参考设计无需专用 x86 处理器或外接网卡,因此能开发出高度集成、稳健可靠的低成本解决方案。

赛灵思在展会上的演示与参与的小组讨论包括

  • 面向下一代 NVMe 平台的可重配置存储加速
  • Virtex UltraScale+ HBM FPGA:革命性提升存储器的性能

    作者 :Mike Wissolik、Darren Zacher、Anthony Torza 和 Brandon Day

    数据中心、有线应用及其它带宽密集型应用所需的性能,远远高于传统的 DRAM 技术。和市场上已有的存储器相比,HBM 存储器在性能、功耗和尺寸上,能为系统架构师和 FPGA 设计人员带来前所未有的优势。

    摘要
    在过去的十年里,电子系统在计算带宽上呈现出指数级的增长。计算带宽的大幅提升,也显著提高了存储带宽要求,以满足计算需求。这类系统的设计人员经常发现市场上的并行存储器(例如 DDR4)再也无法满足应用的带宽需求。赛灵思支持高带宽存储器 (HBM) 的 FPGA 能够以最低的功耗、尺寸和系统成本提供高带宽,显然能够轻松应对这类挑战。在设计这款 FPGA 的过程中,赛灵思与其他领先半导体厂商一样,选择了业界唯一经过证明的堆叠硅片互联技术(即台积电 (TSMC) 的 CoWoS 集成工艺)。这篇白皮书将介绍赛灵思 Virtex®UltraScale+ ™ HBM 器件如何满足大幅提升的系统存储带宽需求,同时保持功耗、尺寸和成本在限定范围内。

    新兴非易失性存储(NVM)市场及技术趋势

    大型厂商的产品导入、存储级内存(SCM)的新兴应用以及五大逻辑代工厂的涉足将推动非易失性存储市场的增长。

    新兴非易失性存储(NON-VOLATILE MEMORY, NVM)有利的市场环境

    相变存储(phase-change memory, PCM)、磁阻式随机存储(magnetoresistive random access memory, MRAM以及阻变式存储(resistive random access memory, RRAM)等主要非易失性存储技术已经有了较长的开发历史。但是,由于种种因素,它们在利基市场的应用仍然有限。现有产品的存储密度有限,新兴NVM开拓厂商在高存储密度产品导入上又有所延误。新材料和新工艺步骤的引入,也带来了制造挑战。同时,主流存储技术也在不断的提高存储密度、降低成本。最后,NVM市场也缺少一款杀手级应用来挑战现有的动态随机存储(DRAM)和NAND闪存。