中子触发单粒子翻转效应 (NSEU) 是地面应用中基于存储器的新型 IC 已知的一种现象。现用飞行器和新一代飞行器的飞行高度可达 40,000 英尺乃至更高，随着大气层中中子通量的增大，NSEU 发生的几率将以数量级提高，进而可能影响飞行安全性。存储器结构的尺寸越来越小，而其容量却越来越大，如此一来，系统就更易受 NSEU 的影响。

基于SRAM 的 FPGA 对航空电子设备制造商而言尤其是一个空前的挑战，因为 FPGA 的功能取决于其配置存储器的完
整性。FPGA 设计人员必须综合采用软硬相结合的技术来降低NSEU ，从而满足航空电子系统的苛刻需求。
Ching Hu 和 Suhail Zain 共同编写的该应用指南提供了基于SRAM 的 FPGA 中 NSEU 的背景资料，并介绍了赛灵思推荐的降低NSEU 的技术（侧重于配置存储器），以及如何计算高空环境下失效率（即 FIT 率）。

基于SRAM 的 FPGA 配置存储器具有易失性，因此相对于其他可编程器件而言尤其容易受影响。有鉴于此，赛灵思开
发了一系列以降低NSEU 为目的的技术和架构，其中包括根据逻辑设计规则（而不是存储器设计规则）构建的 SRAM 单元、BRAM 中的内置 ECC 结构，以及硬件中的内置 SEU 检测和校正结构。所有存储器设备都易受 NSEU 的影响，但只要采用了适当的技术和措施，基于SRAM 的 FPGA 就能为航空电子设备设计人员提供各种可行的解决方案。