非易失性存储

新兴非易失性存储(NVM)市场及技术趋势

大型厂商的产品导入、存储级内存(SCM)的新兴应用以及五大逻辑代工厂的涉足将推动非易失性存储市场的增长。

新兴非易失性存储(NON-VOLATILE MEMORY, NVM)有利的市场环境

相变存储(phase-change memory, PCM)、磁阻式随机存储(magnetoresistive random access memory, MRAM以及阻变式存储(resistive random access memory, RRAM)等主要非易失性存储技术已经有了较长的开发历史。但是,由于种种因素,它们在利基市场的应用仍然有限。现有产品的存储密度有限,新兴NVM开拓厂商在高存储密度产品导入上又有所延误。新材料和新工艺步骤的引入,也带来了制造挑战。同时,主流存储技术也在不断的提高存储密度、降低成本。最后,NVM市场也缺少一款杀手级应用来挑战现有的动态随机存储(DRAM)和NAND闪存。

借助NOR Flash实现UltraScale FPGA后配置解决方案

作者:kenshin

NOR Flash是一种非易失性存储器件,与其相似的还有NAND Flash,但是NOR Flash具有类似SRAM的并行接口,有足够的地址引脚来寻址,读数据的速度更快,因此多用于微控制器启动配置外部存储器件,即代码存储介质,而NAND Flash则使用复杂的I/O口来串行存取数据,内部结构具有极高的单元密度,数据写入速度更快,多应用于大容量数据存储方面。因此NOR Flash占据了大部分容量为1~16MB闪存市场,而NAND Flash大多常见于8~128MB的产品中。今天这里向大家介绍一种基于NOR Flash实现UltraScale FPGA后配置(post-configuration)的解决方案。

UltraScale FPGA器件内部没有继承存储模块,因此需要借助外部NOR Flash来实现FPGA配置文件的加载。在这个设计中需要在FPGA内实例化一个MicroBlaze处理器内核,并且借助AXI EMC控制器IP、STARTUPE3 primitive模块与外部NOR Flash存储器件建立BPI(Byte Peripheral Interface,高速并行配置方式)通信接口连接,具体系统设计如下图所示:

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