本文转载自：FPGA探索者微信公众号
1.（大疆2020芯片工程师A卷，单选）
1 个 16K x 8 位的存储器，其地址线和数据线总和是（）
A、46
B、17
C、48
D、22
答案：D
解析：
地址线：16K = 1K*16 = 1024*16 = (2^10)*(2^4) = 2^14，即需要 14 根地址线；
数据线：8 位数据需要 8 根数据线；
所以一共需要 22 根线。
2. （乐鑫2021数字IC提前批，填空）
用2048x12的ROM芯片，最多能实现（）个输入 （）个 输出的组合逻辑的数。
答案：11，12
解析：
2048=2^11，2048深度，是11位地址位，2048*12表示11位输入地址、12位输出数据（ROM只能输出）。
3. （大疆2020芯片工程师A卷，多选）
下面哪些是非易失性存储器（）
A、Flash
B、EPROM
C、DRAM
D、SRAM
答案：AB
解析：
（1）ROM（Read-Only Memory，只读存储器）只能读出无法写入信息。信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。ROM所存数据通常是装入整机前写入的，整机工作过程中只能读出。
可编程只读存储器（PROM）;
可擦可编程序只读存储器（EPROM）;
带电可擦可编程只读存储器（EEPROM，一般使用 IIC 接口读写）。
（2）RAM（Random Access Memory，随机存取存储器），而且速度很快，RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果，比如计算机的8G内存，掉电丢失；
（3）SRAM（Static Random-Access Memory，静态随机存取存储器）是 RAM 的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以保持；
（4）DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器），需要周期性地更新存储数据，所以叫“动态”。
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SRAM 和 DRAM 比较：
SRAM 不需要动态刷新，速度快，性能高，但是功耗大、集成度低，同时体积也比 DRAM 大，由此 SRAM 的造价更高。
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（5）SDRAM（Synchronous Dynamic Random-access Memory，同步动态随机存取内存），是有同步接口（Synchronous）的 DRAM，系统读写能够同步；
第一代 SDRAM 是 SDR 单数据速率，其后第二代 DDR SDRAM、第三代 DDR2 SDRAM、第四代 DDR3 SDRAM、第五代 DDR4 SDRAM 均为双倍速率的存储器，一般简称 DDR。
DDR：Double Data Rate。
（6）Flash 存储器，又叫闪存，非易失性存储器件。结合 RAM 和 ROM 的优点，既能电可擦除，不掉电丢数据（ROM），又能快速读写数据（RAM），U盘大部分使用的是 Flash 技术，所以你知道了，不丢数据，可读可写，还挺快，但是还是不如 RAM 快。
Flash 分 2 种：Nor Flash 和 Nand Flash。
| Nand Flash | 成本低，串行结构，读写慢，可靠性差 |
|---|---|
| Nor Flash | 与上面相反 |
很多 FPGA 也是基于 SRAM 架构的，下载程序后运行，而断电后再次上电，需要重新下载程序。由此引出所谓的“固化”，即将程序下载到 EEPROM、Flash 等非易失性器件中，每次上电后从 EEPROM 或者 Flash 中加载对 FPGA 的配置（bitstream），比如 Xilinx FPGA 常用 QSPI Flash、SD 卡等方式。