赛灵思28nm 高性能、低功耗工艺技术概要白皮书

在更精细几何尺寸带来密度和性能优势的同时,也伴随着漏电量和功耗密度增加的挑战。Xilinx 在下一代器件架构上采用了 28nm 高-K金属栅极(HKMG)、高性能、低功耗工艺,因为它能最小化静态功耗,并助您实现高水平的系统性能。赛灵思28nm超高性能FPGA为产业带来了更多惊喜,本技术概要白皮书详细介绍了赛灵思28nm工艺技术的特点和优势。

附件大小
赛灵思28nm 高性能、低功耗工艺技术概要白皮书627.4 KB