Everspin公司推出NVMe存储加速器板卡ES1GB-N02

作者:Stark

首先什么是NVMe?NVMe全称是Non-Volatile Memory Express,非易失性存储器标准,是使用PCIE通道的SSD(固态硬盘)一种规范,NVMe的设计之初就是想充分利用到PCIE SSD的低延迟以及并行性等优势,以及兼容当代处理器、平台和应用的并行性。SSD的并行性可以充分被主机的硬件和软件充分利用,相比现在的AHCI标准,NVMe标准可以带来多方面的性能提升。所以NVMe其实就是与AHCI一样的是一种逻辑设备接口标准。

近日Everspin公司就推出了一款基于MRAM的NVMe标准的存储加速器板卡ES1GB-N02,它采用Alpha Data开发出的ADM-PCIE-KU3 PCIe加速器板卡,并在板卡上集成1Gbyte MRAM DIMM双列直插式存储模块,最后编写驱动程序重新配置板上Xilinx Kintex UltraScale KU060 FPGA,其性能最高可支持每秒1.5兆次的输入/输出操作(IOPS)。(见:图1 Everspin公司推出的存储加速器ES1GB-N02板卡)

MRAM全称是Magnetic Random Access Memory,即磁性随机存储器。它属于一种非易失性的随机存储器,采用磁化的方向不同所导致的的磁电阻不同来记录0和1,只要外部磁场不改变,磁化的方向就不会变化,不像DRAM为了保持数据需要不断的电流刷新,MRAM不需要刷新操作。

MRAM兼具非易失性、高速度、高密度、低功耗等各种优良特性,逐渐被认为是电子设备中的理想存储器,另外MRAM采用金属材料为主,因此抗辐射能力也比半导体材料强很多,MRAM的另一个好处是允许将多种存储器功能集成到一个芯片上,从而削减对多个仔储器的需求、相应的成体和设备的大小.降低系统的复杂性 ,提高成本效益并延长电池寿命。

图2 Everspin公司推出的BGA封装的MRAM存储器

图2 Everspin公司推出的BGA封装的MRAM存储器

ES1GB-N02加速器板卡采用的是双列直插式的MRAM模块,因为ADM-PCIE-KU3板卡上预留了SDRAM模块插槽,以为MRAM模块的操作时序要求不同于DDR3 SDRAM标准,因此需要Everspin工程师重新编程配置Kintex UltraScale FPGA以满足MRAM的时序要求。

关于Everspin公司:
Everspin是从飞思卡尔半导体公司分离出来的一家独立公司。公司总部与晶圆厂均设于美国亚利桑那州钱德勒(Chandler)市。2006年,Everspin推出业界第一款商业化MRAM产品。今日,Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。

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